眾所周知，在集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關鍵技術之一。而隨著半導體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。

由于EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現(xiàn)有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者采用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。

根據國家知識產權局官網的消息，華為技術有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術相關的專利，專利申請?zhí)枮?02110524685X。據悉，該專利申請?zhí)峁┮环N反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而<愛尬聊_尬聊生活>無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了優(yōu)化，進而達到勻光的目的，進而解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。