近日召開了2023年北美技術(shù)研討會(huì)。臺(tái)積電也在北美技術(shù)研討會(huì)中披露了集團(tuán)有可能在2025年到2026年期間或者以后的時(shí)間去推出N2 2nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃的更多信息，臺(tái)積電的N2系列制造技術(shù)也隨著科技不斷發(fā)展將會(huì)擴(kuò)展到其他變化。

臺(tái)積電在2022年推出的初始N2制造工藝也成為了代工廠第1個(gè)能夠使用GAAFET晶體管的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電也將這個(gè)晶體管稱為納米片晶體管。GAAFET晶體管和之前的FinFET晶體管相比較起來GAAFET晶體管擁有更大的優(yōu)勢(shì)，包括能夠擁有更低的漏電流，因?yàn)镚AAFET晶體管通道的4個(gè)<愛尬聊_百科知識(shí)>側(cè)面都存在著閘機(jī)能夠更好的去調(diào)整通道寬度能夠獲得更高的性能，同時(shí)還能夠產(chǎn)生更低的功耗。

臺(tái)積電在2022年推出這一項(xiàng)最新技術(shù)時(shí)候，就表示在相同的功率以及復(fù)雜性能之下，這項(xiàng)最新技術(shù)能夠讓晶體管的性能提高15%左右，或者是在使用相同的晶體管數(shù)量或者是相同的時(shí)鐘下功耗將會(huì)降低最高到30%。