雖然誰都不愿意承認(rèn)摩爾定律已死，但是制程工藝的提升越來越難了，臺積電就在3nm上遇到了極大的麻煩。

臺積電曾經(jīng)宣稱，3nm N3工藝相比于5nm N5可將集成密度增加60-70％之多。

但是，臺積電的最新一份論文中承認(rèn)，N3工藝的SRAM單元的面積為0.0199平方微米，相比于N5工藝的0.021平方微米只縮小了區(qū)區(qū)5％！

更糟糕的是，所謂的第二代3nm工藝N3E，SRAM單元面積為0.021平方微米，也就是和N5工藝毫無差別！

這種情況下的晶體管密度，只有每平方毫米約3180萬個。

與此同時，Intel 7工藝(原10nm ESF)的SRAM單元面積為0.0312平方微米，Intel 4工藝(原7nm)則縮小到0.024平方微米，改進(jìn)幅度為23％，已經(jīng)和臺積電3nm工藝相差無幾。

照這么看，Intel的工藝改名也是有幾分道理的。

另外，有數(shù)據(jù)表明，到了2nm及之后的工藝，晶體管密度將達(dá)到每平方毫米6000萬個左右，但需要所謂的叉片”(forksheet)晶體管，而且還要等好幾年。

SRAM在現(xiàn)代芯片中一般用作緩存，比如銳龍9 7950X里的81MB緩存，比如NVIDIA AD102核心里的123MB緩存，它們往往需要先進(jìn)的工藝支持，否則面積和成本會非常夸張。

事實上，考驗新工藝的第一步，普遍就是看SRA<愛尬聊_百科大全>M的尺寸和密度有沒有明顯改進(jìn)。

看起來，芯片廠商們越來越多使用chiplet小芯片和各種復(fù)雜封裝技術(shù)的路子是對的，單純依靠制程工藝越來越行不通。